- Tytuł:
- Post-implantation defects instability under 1 MeV electron irradiation in GaAs
- Autorzy:
-
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grötzschel, R. - Data publikacji:
- 2000
- Wydawca:
- Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
- Tematy:
-
electron annealing
GaAs
implantation - Źródło:
-
Nukleonika; 2000, 45, 4; 225-228
0029-5922
1508-5791 - Język:
- angielski
- Prawa:
- Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
- Artykuł