- Tytuł:
- Lattice Deformation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As Epitaxial Layers Caused by Implantation with High Doses of 1 Mev Si Ions
- Autorzy:
-
Wieteska, K.
Wierzchowski, W.
Graeff, W.
Turos, A.
Grötzschel, R. - Data publikacji:
- 1999-08
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
61.10.-i
61.80.-x - Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 2; 289-293
0587-4246
1898-794X - Język:
- angielski
- Prawa:
- Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
- Artykuł