- Tytuł:
- Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
- Autorzy:
-
Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A. - Data publikacji:
- 2014
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
- Tematy:
-
gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation - Źródło:
-
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
2300-1933 - Język:
- angielski
- Prawa:
- CC BY-NC-ND: Creative Commons Uznanie autorstwa - Użycie niekomercyjne - Bez utworów zależnych 3.0 PL
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
- Artykuł