- Tytuł:
- The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
- Autorzy:
-
Mroczyński, R.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D. - Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
ultra-thin dielectrics
silicon oxynitride
PECVD
CMOS - Źródło:
-
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 16-19
1509-4553
1899-8852 - Język:
- angielski
- Prawa:
- Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
- Artykuł