Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Phason Contribution to the Dislocation Loop Bias in Quasicrystals

Tytuł:
Phason Contribution to the Dislocation Loop Bias in Quasicrystals
Autorzy:
Lavrova, G.
Turkin, A.
Bakai, A.
Data publikacji:
2014-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.44.Br
61.72.Lk
61.80.Az
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 2; 505-507
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
We develop a model of the absorption of vacancies and self-interstitial atoms by dislocation loops and associated phason defects in quasicrystals under irradiation. The capture efficiency and the bias of the loop for radiation point defects are evaluated for variable loop sizes. Numerical calculation of these quantities is performed for comparison. It is shown that phason defects decrease the total bias of the dislocation loop in a quasicrystal.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz