Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs
Autorzy:: Havare, A.
Okur, S.
Yagmurcukardes, N.
Can, M.
Aydin, H.
Seker, M.
Demic, S.
Data publikacji:: 2013-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.Hb
73.20.Mf
73.21.-b
73.22.-f
73.25.+i
73.40.Ei
73.40.Jn
73.40.Ns
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 2; 456-458
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In order to understand the electronic properties of the organic Schottky diode, ITO/TPD/Al and ITO/SAM/TPD/Al organic Schottky devices were fabricated to obtain current-voltage characteristics. From the slopes and y-axis intercepts of the plots, the values of the ideality factor, barrier heights of the ITO/SAM/TPD/Al diode were determined as 2.03 and 0.56 eV, respectively. The surface characterizations of modified and unmodified ITO were performed via atomic force microscopy.

Informacja

Electrical Characterizations of Schottky Diodes οn ITO Modified by Aromatic SAMs

Powiązane pozycje