Obrazowanie termiczne stanów przejściowych przy załączaniu tyrystora

W artykule przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości zastosowania kamery termowizyjnej do rejestracji termogramów szybkich procesów przejściowych generacji ciepła w czasie załączania otwartej struktury półprzewodnikowej tyrystora. Badania wykazały możliwość rejestracji termogramów w czasie załączania przyrządu półprzewodnikowego mocy przy odpowiednim doborze niestandardowych ustawień pracy kamery termowizyjnej.

The paper presents the results of investigations on possible use of a thermal imaging camera for the recording of fast transient processes of heat generation during the switching of semiconductor structures in semiconductor power devices, based on measurements of a thyristor semiconductor structure. Using a measurement setup consisting of an IR camera and of a purpose build current pulse generator, the thermal behaviour of the T00-80 thyristor semiconductor structure during turn on was investigated. The thermograms were recorded at speeds reaching 1400 frames per second. Studies of the semiconductor structure of the thyristor mounted in a special holder showed the possibility of using a thermal camera for analyzing the behaviour of power semiconductor devices, however further increase in the temporal resolution of the recording process will be needed. One of the solutions will be to synchronize operation of a pulse generator and a thermal camera, including a controlled, variable time delay between current pulse generation and image acquisition.