Pomiary rezystancji termicznej tranzystorów mocy z wykorzystaniem metod pirometrycznych

Praca dotyczy pomiarórw rezystancji termicznej wybranych tranzystorów mocy przy wykorzystaniu metod pirometrycznych. Zamieszczono szereg wyników pomiarów tego parametru w funkcji mocy wydzielanej w elemencie, uzyskanych przy zastosowaniu różnych radiatorów obudów i orientacji przestrzennej badanych tranzystorów. Zbadano również nierównomierność przestrzennego rozkładu temperatury w badanej strukturze.

In this paper the problem of measurements of the thermal resistance (Rth) of the selected power transistors with the use of the pirometric method is considered. The measuremental results Rth of bipolar transistors 2N3055 and MOS transistors IRF840 for the dissipated power changing as well as for the various kinds of device cases the temperature distribution on the chip has been estimated.