Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu w przekształtnikach energoelektronicznych

W artykule przedstawiono informacje dotyczące zastosowań diod Schottky'ego wykonanych na bazie węglika krzemu SiC w układach energoelektronicznych przekształcających energię elektryczną z wysoką częstotliwością. Omówiono także oferowane obecnie moduły tranzystorowo-diodowe wykonane w całości z węglika krzemu. Omówiono zastosowania zestawów tranzystorowo-diodowych z diodami Schottky'ego SiC w przekształtnikach energoelektronicznych o częstotliwości łączeń 50÷200 kHz przeznaczonych dla grzejnictwa indukcyjnego. Przedstawiono wyniki porównawcze badań strat mocy w funkcji częstotliwości, generowanych w układzie przekształtnika z twardą komutacją prądu, przy zastosowaniu ultraszybkich diod krzemowych oraz diod Schottky'ego SiC.

The paper presents information concerning the use of Schottky's diodes produced on the base of silicon carbide at high frequency converters. The transistor-diode SiC modules offered currently on the market have been discussed. The paper also presents the applications of the transistor-diode modules with SiC Schottky's diodes at the high frequency converters (50÷200 kHz) destined for metal induction heating. The comparable results of analyses of power losses versus frequency generated in a hard commutation converter with silicon or silicon carbide diodes are presented.