Spin-Dependent Phenomena in Magnetoelectronic Devices

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Spin-Dependent Phenomena in Magnetoelectronic Devices
Autorzy:: BarnaŚ, J.
Gmitra, M.
Rudziński, W.
Wawrzyniak, M.
Dugaev, V.
Kunert, H.
Data publikacji:: 2007-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 75.60.Ch
75.70.Cn
75.70.Pa
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 6; 1259-1265
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Spin effects in electronic transport properties of artificial magnetic structures, like nanopillar spin valves, tunnel junctions, mesoscopic double-barrier junctions (single-electron transistors) are briefly discussed. Two classes of spin effects are distinguished; i.e. magnetoresistance phenomena due to magnetization rotation, and current-induced magnetic switching and magnetic dynamics.

Informacja

Spin-Dependent Phenomena in Magnetoelectronic Devices

Powiązane pozycje