Description of Electrical Characteristics of Semiconducting Compound-Insulator Interface on the Basis of the Model of Interface States Distributed in Energy and in Space

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Description of Electrical Characteristics of Semiconducting Compound-Insulator Interface on the Basis of the Model of Interface States Distributed in Energy and in Space
Autorzy:: Kochowski, S.
Data publikacji:: 1992-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.80.Ey
73.20.-r
73.40.Qv
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 761-764
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

The calculation results of the influence of interface state parameters on capacitance-voltage and conductance-voltage characteristics of n-GaAs metal insulator semiconductor structures are presented. The U-shaped distribution in the energy dimension and Gaussian-like distribution in the space dimension for insulator-semiconductor interface states are assumed.

Informacja

Description of Electrical Characteristics of Semiconducting Compound-Insulator Interface on the Basis of the Model of Interface States Distributed in Energy and in Space

Powiązane pozycje