Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

High-Pressure Magnetotransport Measurements of Resonant Tunnelling via X-Minimum Related States in AlAs Barrier

Tytuł:
High-Pressure Magnetotransport Measurements of Resonant Tunnelling via X-Minimum Related States in AlAs Barrier
Autorzy:
Gryglas, M.
Przybytek, J.
Baj, M.
Eaves, L.
Henini, M.
Data publikacji:
2001-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.43.Jn
73.63.Hs
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, 3; 403-408
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In this paper, we present the results of magnetotransport experiments performed on a single barrier GaAs/AlAs/GaAs heterostructures. Tunnel current was measured as a function of magnetic field for different values of bias voltage and hydrostatic pressure. We observed that the amplitude of the magnetooscillations of tunnel current quenched when the requirements for resonant tunnelling were met and it recovered in out-of-resonance conditions. This effect was observed both for tunnelling through donor states and through X-minimum related quasiconfined conduction band states. The fact that also in the latter case the amplitude was restored suggests that this process involved X$\text{}_{z}$ subbands and took place without a participation of phonons (the so-called k$\text{}_{ǁ}$-conserving process).

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz