- Tytuł:
- Luminescence of Highly Photoexcited GaN Epilayers and Heterostructures Grown on Different Sapphire Crystal Planes
- Autorzy:
-
Juršėnas, S.
Miasojedovas, S.
Kurilčik, G.
Liuolia, V.
Žukauskas, A.
Chen, C. Q.
Yang, J. W.
Kuokštis, E.
Adivarahan, V.
Asif Khan, M. - Data publikacji:
- 2005-02
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
78.55.Cr
73.21.Fg
72.20.Jv
78.47.+p - Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 2; 235-239
0587-4246
1898-794X - Język:
- angielski
- Prawa:
- Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
- Artykuł