Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Growth and characterisation of LWIR T2SL on (100)-, (211)- and (311)-oriented GaSb substrates

Tytuł:
Growth and characterisation of LWIR T2SL on (100)-, (211)- and (311)-oriented GaSb substrates
Autorzy:
Lubyshev, Dmitri
Fastenau, Joel M.
Kattner, Michael
Frey, Philip
Nelson, Scott A.
Flick, Ryan
Wu, Ying
Liu, Amy W. K.
Szymanski, Dennis E.
Martinez, Becky
Furlong, Mark J.
Dennis, Richard
Bundas, Jason
Sundaram, Mani
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
focal plane arrays
InAs/InAsSb
photodetectors
long wavelength infrared type-II superlattice
metamorphic buffers
superlattice period reduction
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144568
1230-3402
Język:
angielski
Prawa:
CC BY: Creative Commons Uznanie autorstwa 4.0
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Ga-free InAs/InAsSb type-II superlattice structures grown on GaSb substrates have demonstrated high performance for mid-wave infrared applications. However, realisation of long wavelength infrared photodetectors based on this material system still presents challenges, especially in terms of reduced quantum efficiency. This reduction is due, in part, to the increased type-II superlattice period required to attain longer wavelengths, as thicker periods decrease the wave-function overlap for the spatially separated quantum wells. One way to improve long wavelength infrared performance is to modify the type-II superlattice designs with a shorter superlattice period for a given wavelength, thereby increasing the wave-function overlap and the resulting optical absorption. Long wavelength infrared epitaxial structures with reduced periods have been realised by shifting the lattice constant of the type-II superlattice from GaSb to AlSb. Alternatively, epitaxial growth on substrates with orientations different than the traditional (100) surface presents another way for superlattice period reduction. In this work, the authors evaluate the performance of long wavelength infrared type-II superlattice detectors grown by molecular beam epitaxy using two different approaches to reduce the superlattice period: first, a metamorphic buffer to target the AlSb lattice parameter, and second, structures lattices matched to GaSb using substrates with different orientations. The use of the metamorphic buffer enabled a ~30% reduction in the superlattice period compared to reference baseline structures, maintaining a high quantum efficiency, but with the elevated dark current related to defects generated in the metamorphic buffer. Red-shift in a cut-off wavelength obtained from growths on highindex substrates offers a potential path to improve the infrared photodetector characteristics. Focal plane arrays were fabricated on (100), (311)A- and (211)B-oriented structures to compare the performance of each approach.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz