- Tytuł:
- An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs
- Autorzy:
-
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Gibki, J.
Jakubowski, A. - Data publikacji:
- 2001
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
SOI MOSFET
floating body
avalanche ionization
recombination
displacement current
admittance - Źródło:
-
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2001, 1; 57-60
1509-4553
1899-8852 - Język:
- angielski
- Prawa:
- Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
- Artykuł