On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies

Szczegóły
Opis

Tytuł:: On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies
Autorzy:: Lederer, D.
Raskin, J. P.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: silicon-on-insulator (SOI)
MOSFET
wideband characterization
microwave frequency
extraction techniques
small-signal equivalent circuit
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 2; 69-77
1509-4553
1899-8852
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In the present paper, the interest of wideband characterization for the development of integrated technologies is highlighted through several advanced devices, such as 120 nm partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs, 120 nm dynamic threshold (DT) voltage - SOI MOSFETs, 50 nm FinFETs as well as long-channel planar double gate (DG) MOSFETs.

Informacja

On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies

Powiązane pozycje