- Tytuł:
-
Badania ewaluacyjne tranzystora 650 V E-HEMT GaN do zastosowań w wysokosprawnych przekształtnikach DC/DC
Evaluation of a 650 V E-HEMT GaN transistor for high-efficiency DC/DC converters - Autorzy:
-
Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W. - Data publikacji:
- 2015
- Wydawca:
- Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
- Tematy:
-
azotek galu
GaN
E-HEMT
przekształtnik obniżający
napięcie
straty mocy
gallium nitride
enhancement mode
high electron mobility transistor E-HEMT
DC/DC converters
power losses - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł