- Tytuł:
- Influence of high Al fraction on reactive ion etching of AlGaN/GaN heterostructures
- Autorzy:
-
Gryglewicz, J
Stafiniak, A
Wosko, M
Prazmowska, J
Paszkiewicz, B - Data publikacji:
- 2013
- Wydawca:
- Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
- Tematy:
-
reactive ione etching
HEMT
AlGaN/GaN heterostructure - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł