- Tytuł:
-
Zastosowanie wysokorezystywnego azotku galu do wytwarzania heterostruktur AlGaN/GaN HEMT
Application of high-resistivity gallium nitride for fabrication of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) - Autorzy:
- Miczuga, M.
- Data publikacji:
- 2009
- Wydawca:
- Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
- Tematy:
-
przyrządy półprzewodnikowe
HEMT
GaN
PITS
centra defektowe
semiconductor devices
defect centers - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł