- Tytuł:
- An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs
- Autorzy:
-
Tomaszewski, D.
Łukasiak, L.
Gibki, J.
Jakubowski, A. - Data publikacji:
- 2001
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
SOI MOSFET
floating body
avalanche ionization
recombination
displacement current
admittance - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł