Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Hofman, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
Autorzy:
Didyk, A. Y.
Komarov, F. F.
Vlasukova, L. A.
Gracheva, E. A.
Hofman, A.
Yuvchenko, V. N.
Wiśniewski, R.
Wilczyńska, T.
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
semiconductors
gallium arsenide
swift heavy ions
inelastic energy loss
atomic force microscopy (AFM)
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

    Prześlij opinię

    Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

    Formularz