- Tytuł:
- Damage distributions in GaAs single crystal irradiated with 84Kr (394 MeV), 209Bi (710 MeV) and 238U (1300 MeV) swift ions
- Autorzy:
-
Didyk, A. Y.
Komarov, F. F.
Vlasukova, L. A.
Gracheva, E. A.
Hofman, A.
Yuvchenko, V. N.
Wiśniewski, R.
Wilczyńska, T. - Data publikacji:
- 2008
- Wydawca:
- Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
- Tematy:
-
semiconductors
gallium arsenide
swift heavy ions
inelastic energy loss
atomic force microscopy (AFM) - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł