Autor: Piskorski, K. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Piskorski, K." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-9 z 9

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Distribution of potential barrier height local values at Al-SiO₂ and Si-SiO₂ interfaces of the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewlocki, H. M.
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices
Autorzy:: Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: flat-band voltage
light pulse technique
MOS system
photoelectric methods
scanned light pulse technique
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Pomiary naprężeń w strukturach MOS metod interferencyjną i za pomocą elipsometrii spektroskopowej
Stress determination of MOS structures by interference and spectroscopic ellipsometry method
Autorzy:: Borowicz, L. K.
Borowicz, P.
Rzodkiewicz, W.
Piskorski, K.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: struktury MOS
naprężenie
interferometria
elipsometria
parametry elektryczne
Metal Oxide Semiconductor
MOS structures
stress
interferometry
ellipsometry
electrical parameters
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the phi MS measurement results
Autorzy:: Piskorski, K.
Kudła, A.
Rzodkiewicz, W.
Przewłocki, H. M.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: barrier height
effective contact potential difference
MOS system
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Optical Properties of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As$\text{}_{y}$Sb$\text{}_{1-y}$ Epitaxial Layers
Autorzy:: Świątek, K.
Piskorski, M.
Piotrowski, T. T.
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.55.Cr
78.66.Fd
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Problemy związane z oceną stanu technicznego zasobników węglowych
Problems relating to evaluation of the technical condition of coal bunkers
Autorzy:: Wodyński, A.
Oruba, R.
Firek, K.
Kocot, W.
Witkowski, M.
Piskorski, T.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Polski Związek Inżynierów i Techników Budownictwa
Tematy:: elektrownia
zbiornik węglowy
zasobnik szczelinowy
charakterystyka techniczna
ocena stanu technicznego
power station
coal bunker
sloted bin
technical characteristics
technical condition assessment
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
Autorzy:: Kuc, M.
Sokół, A. K.
Piskorski, Ł.
Dems, M.
Wasiak, M.
Sarzała, R. P.
Czyszanowski, T.
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: edge-emitting lasers
InGaN/GaN
computer simulation
ITO
optical confinement
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materials Technology for GaSb-Based optoelectronic Devices
Autorzy:: Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Piotrowski, T. T.
Piskorski, M.
Guziewicz, M.
Papis, E.
Gołaszewska-Malec, K.
Kasjuniuk, S.
Data publikacji:: 1996-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Ns
81.05.Ea
81.40.-z
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-9 z 9

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.