Autor: Tłaczała, M. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Tłaczała, M." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-9 z 9

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Influence of AlN spacer on the properties of AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Autorzy:: Wosko, M
Paszkiewicz, B
Paszkiewicz, R
Tlaczala, M
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: AlGaN/GaN
heterostructure
AlN spacer
MOVPE
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: AlGaN/GaN Heterostructure FET - Processing and Parameters Evaluation
Autorzy:: Boratyński, B.
Paszkiewicz, B.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2009-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Hd
85.30.De
85.30.Tv
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Role of nitrogen in carrier confinement potential engineering and optical properties of GaAs-based quantum wells heterostructures
Autorzy:: Pucicki, D.
Bielak, K.
Dawidowski, W.
Ściana, B.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: dilute nitrides
optical properties
carrier confinement
photoluminescence
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Influence of RF ICP PECVD process parameters of diamond-like carbon films on DC bias and optical emission spectra
Autorzy:: Oleszkiewicz, W
Markowski, J
Srnanek, R
Kijaszek, W
Gryglewicz, J
Kovac, J
Tlaczala, M
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: PECVD
diamond-like carbon layers
OES
Raman spectroscopy
AFM
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Interface and Surface Subsignals in Photoreflectance Spectra for GaAs/SI-GaAs Structures
Autorzy:: Jezierski, K.
Sitarek, P.
Misiewicz, J.
Panek, M.
Ściana, B.
Korbutowicz, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 68.55.-a
71.35.+z
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Influence of AlN Buffer Layer Deposition Temperature οn Properties of GaN HVPE Layers
Autorzy:: Prażmowska, J.
Korbutowicz, R.
Wośko, M.
Paszkiewicz, R.
Kovač, J.
Srnanek, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2009-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.10.Bk
81.15.Gh
81.15.Kk
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Technology and properties of low-pressure metalorganic vapour phase epitaxy grown InGaAs/AlInAs superlattice for quantum cascade laser applications
Autorzy:: Badura, M.
Bielak, K.
Ściana, B.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Dawidowski, W.
Żelazna, K.
Kudrawiec, R.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:: InGaAs
AlInAs
superlattice
metalorganic vapour phase epitaxy
MOVPE
quantum cascade laser
QCL
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell
Autorzy:: Dawidowski, W.
Ściana, B.
Zborowska-Lindert, I.
Mikolásek, M.
Latkowska, M.
Radziewicz, D.
Pucicki, D.
Bielak, K.
Badura, M.
Kováč, J.
Tłaczała, M.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: dilute nitrides
AP MOVPE
subcell
tandem solar cell
J-V characteristics
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:: Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Data publikacji:: 1998-09
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 61.72.Vv
65.70.+y
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-9 z 9

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.