- Tytuł:
- Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
- Autorzy:
-
Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L. - Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł