- Tytuł:
- Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
- Autorzy:
-
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A. - Data publikacji:
- 2005
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł