- Tytuł:
- Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices
- Autorzy:
-
Palankovski, V.
Selberherr, S. - Data publikacji:
- 2004
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
SiGe HBT
numerical simulation
band gap
mobility
small-signal simulation
S-parameters - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł