Autor: Bisewski, D. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Bisewski, D." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: System do automatycznego pomiaru parametrów termicznych półprzewodnikowych przyrządów mocy
An automatic measurement system of thermal parameters of semiconductor power devices
Autorzy:: Bisewski, D.
Zarębski, J.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:: parametry termiczne
rezystancja termiczna
przejściowa impedancja termiczna
półprzewodnikowe przyrządy mocy
thermal parameters
thermal resistance
transient thermal impedance
semiconductor power devices
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych
Laboratory of measurements of electronic devices and circuits
Autorzy:: Bisewski, D.
Zarębski, J.
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: laboratorium pomiarów elementów i układów elektronicznych
Akademia Morska w Gdyni
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
Autorzy:: Bisewski, D.
Zarębski, J.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: tranzystor MOS
parametry termiczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Ocena dokładności firmowych modeli diod Schottkyego z węglika krzemu
Evaluation of models accuracy of SiC Schottky diodes
Autorzy:: Bisewski, D.
Zarębski, J.
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: modelowanie
dioda Schottky'ego
SPICE
węglik krzemu
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Ocena dokładności firmowego makromodelu tranzystora SiC-JFET
Evaluation of accuracy of SiC-JFET macromodel
Autorzy:: Bargieł, K.
Bisewski, D.
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:: JFET
makromodel
węglik krzemu
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Examinations of Selected Thermal Properties of Packages of SiC Schottky Diodes
Autorzy:: Bisewski, D.
Myśliwiec, M.
Górecki, K.
Kisiel, R.
Zarębski, J.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: Schottky diodes
transient thermal impedance
thermal measurements
silicon carbide
packaging
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.