- Tytuł:
- Post-implantation defects instability under 1 MeV electron irradiation in GaAs
- Autorzy:
-
Warchoł, S.
Rzewuski, H.
Krynicki, J.
Grötzschel, R. - Data publikacji:
- 2000
- Wydawca:
- Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
- Tematy:
-
electron annealing
GaAs
implantation - Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł