Autor: Beck, R.B. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Beck, R.B." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-12 z 12

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Ultrathin oxynitride films for CMOS technology
Autorzy:: Beck, R.B.
Jakubowski, A.
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOS technology
gate stack
ultrathin oxynitride layers
high temperature processing
plasma processing
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Oxidation kinetics of silicon strained by silicon germanium
Autorzy:: Grabowski, J.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: oxidation
kinetics
modeling
silicon
silicon-germanium
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:: Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Kudła, A.
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: MOS technology
plasma processing
shallow implantation
radiation damage
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon
Autorzy:: Kalisz, M.
Beck, R. B.
Barcz, A.
Ćwil, M.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: fluorine
reactive ion etching
silicon fluoride
boron thermal diffusion
fluorocarbon plasma
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Challenges in ultrathin oxide layers formation
Autorzy:: Beck, R.B.
Jakubowski, A.
Łukasiak, L.
Korwin-Pawłowski, M.
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: silicon technology
oxidation
PECVD
RTO
gate oxide
ultrathin
layers
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Głuszko, G.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: CMOS
dual gate oxide
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce
odwiedzone

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Adsorption properties of porous silicon
Autorzy:: Domański, K.
Grabiec, P.
Gotszalk, T.
Beck, R.B.
Dębski, T.
Rangelow, I.W.
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: porous silicon
cantilever beam
gas sensor
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes
Autorzy:: Bieniek, T.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Konarski, P.
Ćwil, M.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: CMOS
gate stack
oxynitride
plasma implantation
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation
Autorzy:: Mroczyński, R.
Bieniek, T.
Beck, R. B.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra-thin dielectrics
oxynitride
SIMS
XPS
PECVD
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
Autorzy:: Mroczyński, R.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Jakubowski, A.
Ćwil, M.
Konarski, P.
Hoffman, P.
Schmeißer, D.
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: ultra-thin dielectrics
silicon oxynitride
PECVD
CMOS
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-12 z 12

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.